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   SMM網(wǎng)訊：科技部9月26日新聞稱，日本理化學(xué)研究所和千葉大學(xué)組成的聯(lián)合研發(fā)小組開發(fā)成功絕緣部厚度是目前十分之一的下一代超薄高溫超導(dǎo)電纜。

　　   聯(lián)合小組采用與金屬電鍍雷同的聚酰亞胺電沉積法，在導(dǎo)電線的外觀形成極薄的聚酰亞胺絕緣體皮膜。絕緣體的厚度僅為4微米，是目前高溫超導(dǎo)電纜絕緣部厚度的十分之一。經(jīng)測試，斷面絕緣比例達到10%以下，較現(xiàn)有高溫超導(dǎo)電纜削減80%以上；制成的超導(dǎo)線圈電流密度增長2倍以上，體積可減小4/5左右。制作工序也較目前采取的聚合體絕緣帶包卷體例更加簡化?？梢罁?jù)必要制作小型超導(dǎo)線圈以及數(shù)公里長的高溫超導(dǎo)電纜。

　　   目前，高溫超導(dǎo)電纜通常呈寬4毫米到5毫米、厚100微米到150微米的薄帶狀。其中絕緣部分厚度和導(dǎo)電線厚度基原形同，各為50微米左右。較厚的絕緣層對電流密度有肯定影響，也使超導(dǎo)線圈體積難以進一步小型化。該方法使核磁共振（NMR）和磁共振成像（MRI）等裝配的小型化和低成本制造成為可能。有關(guān)研究成果將發(fā)表在物理學(xué)《Physica C》雜志電子版
（信息來源：上海有色網(wǎng)）